温馨提示:
 

您访问、浏览或使用此Web站点,您即承认您已阅读、理解并同意接受使用条款的约束,并遵守所有适用的法律和法规。如果您不同意这些条款,请不要使用此Web站点。

如果您想翻译此站点,请点击上方进行翻译。

You visit, browse or use this Web site, you acknowledge that you have read, understood and agree to Terms of Use bound by and comply with all applicable laws and regulations. If you do not agree to these terms, please do not use this Web site.

If you would like to translate this site, please click on the top of translation.

产品信息
8"单晶硅片
 
主要参数
规格 156×156mm
厚度 200 цm,220 цm,240 цm(±20цm)
导电参数 P
联系我们 留言反馈

8"单晶硅片基本参数

项目 参数
尺寸

156±0.4mm

厚度 180,190,200 цm(±10цm/±20цm)
导电类型 P型
少子寿命 ≥12цs
电阻率 1-3Ω·cm
氧含量 ≤1×1018 Atoms/cm3
碳含量 ≤1×1017 Atoms/cm3
位错 ≤2000pcs/ cm2
TTV

≤20 цm

翘曲度

≤30 цm

线痕 ≤15 цm
晶向偏离度 ≤1°
晶向 <100>± 1°